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Bei einem integrierten Drucksensor, welcher ein Halbleitersubstrat enthält, das ein p-Typ Einkristallsiliziumsubstrat und eine n-Typ Epitaxialschicht besitzt, bei welchem ein Abschnitt durch elektrochemisches Ätzen geätzt wird, um ein Diaphragma zu erlangen, wird eine Störstellendiffusionsschicht für eine Trennung gebildet, welche die n-Typ Epitaxialschicht durchdringt, die zumindest das Diaphragma definiert. Ein Ätzdraht ist auf der Oberfläche der n-Typ Epitaxialschicht mit einer Isolierung gebildet, und das erste Ende des Ätzdrahtes erstreckt sich auf die Innenseite der Oberfläche und ist mit der n-Typ Epitaxialschicht verbunden. Das zweite gegenüberliegende Ende erstreckt sich auf einen Rand des Halbleitersubstrats. Der Ätzdraht kreuzt nicht die Störstellenschicht innerhalb der Oberfläche des Halbleitersubstrats, um zu verhindern, dass der Ätzdraht mit der Störstellenschicht während des elektrochemischen Ätzens einen Kurzschluss bildet.
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