| 发明名称 | 电容器、半导体装置和其制造方法、电光装置及电子机器 | ||
| 摘要 | 在半导体装置中，TFT、二极管和电容器的绝缘层由在温度为300℃～400℃、压力为0.5MPa～2MPa的条件下将钽膜氧化而得到的氧化钽膜和利用CVD等方法形成的氧化硅膜构成。因此，绝缘层包含通过高压退火处理而生成的氧化钽膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1405805A | 申请公布日期 | 2003.03.26 |
| 申请号 | CN02142608.2 | 申请日期 | 2002.09.12 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 渡边吉祥 |
| 分类号 | H01G4/10;H01G4/08;H01L21/31;H01L21/324;H01L21/3205;H01L21/283;H01L21/336 | 主分类号 | H01G4/10 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种按下电极、绝缘层和上电极顺序集层的电容器，其特征在于：在上述绝缘层上，包含通过在含有水蒸气的氛围中、在高压下进行退火的高压退火处理对绝缘层形成用金属膜进行氧化而成的氧化膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||