发明名称 |
硅基薄膜晶体管室温红外探测器 |
摘要 |
硅基薄膜晶体管室温红外探测器属于单片集成式红外探测器技术领域,其特征在于:它是一种用薄膜晶体管作为热敏感元件且采用倒置参差结构的室温红外探测器,它含有:做在悬空微桥的桥面上用作热敏感元件的薄膜晶体管,做在选择性地在硅衬底的部分区域形成的一层多孔硅层上用作参考元件的薄膜晶体管,做在衬底上的信号检测IC电路。该悬空微桥是通过把热敏感元件薄膜晶体管下方的多孔硅腐蚀掏空而形成的。当参考元件下方的多孔硅层的厚度为6μm,电流偏置工作时间小于5μs时,差分电路抵消了自热升温和环境温度变化引起的输出温漂;参考元件中受红外辐射引起的平衡态升温仅是热敏元件的1/60,即采用参考元件削弱热敏感元件的探测响应率仅不到2%。 |
申请公布号 |
CN1405892A |
申请公布日期 |
2003.03.26 |
申请号 |
CN02148647.6 |
申请日期 |
2002.11.15 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
刘理天;董良;岳瑞峰 |
分类号 |
H01L27/14;H01L31/00;G01J1/02 |
主分类号 |
H01L27/14 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.硅基薄膜晶体管室温红外探测器,含有室温热敏感元件,其特征在于,它是一种用薄膜晶体管作为热敏感元件且采用倒置参差结构的单片集成式硅基薄膜晶体管室温红外探测器,它含有:硅衬底;悬浮于硅衬底上方且用支撑臂支撑的薄膜微桥;制作在薄膜微桥桥面上用作热敏感元件的薄膜晶体管,及其由其组成的热敏感元件阵列;制作在多孔硅上用作参考元件的薄膜晶体管;测量用的外围集成电路。 |
地址 |
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