反射防止膜的光学常数的决定方法和光刻胶图形的形成方法

摘要

本发明提供一种即使对157nm短波长透明性低的光刻胶膜，也适合抑制其膜厚变动的下层反射防止膜光学常数的决定方法和光刻胶图形形成方法。用单调增加项和衰减振荡项之和，表达了按照光刻胶膜厚变动的适当曝光量的场合，在其变化曲线上在比极大膜厚点增加的一侧，要选择上述下层反射防止膜的光学常数，使存在于上述极大点很近的极小值与上述极大值大体相等，或使极点不存在。

主权项

1、一种下层反射防止膜的光学常数的决定方法，是在半导体器件制造工序中的光刻工序中，对于曝光波长，在以底为10的光吸收系数α′为1.5μm-1～3.0μm-1的光刻胶膜与衬底基板之间形成的下层反射防止膜的光学常数的决定方法，是具备用单调增加项和衰减振荡项之和表达按照上述光刻胶膜的膜厚变动的适当曝光量，在其变化曲线上比表示极大值的极大点膜厚还要增加的一侧，选择上述下层反射防止膜的光学常数的步骤，使存在于上述极大点最近处的极小值与上述极大值大致相等，或使极大点不存在，设定曝光波长为λ、光刻胶膜的衰减系数为κ时上述光吸收系数α′是具有下式关系的值，${\alpha }^{\prime }=\frac{4\mathrm{\pi k}}{\lambda }{\log }_{10}\left(\exp \right)$ 的方法。