一种交替式相位移光罩

摘要

本发明揭露一种交替式相位移光罩(alternatingphaseshifting mask，Alt－PSM)，特别应用于248nm光源的两次曝光(double exposure)微影制程中；本发明的相位移光罩主要包含有：(1)一透明基板；(2)至少一设于该透明基板上的半密集线条，其中该半密集线条的一侧为宽度至少大于2微米的透光区域，另一侧则相邻于一窄间距(pitch)密集线图案；(3)一第一相位移区域，设置于该密集线条图案以及该半密集线条之间，并紧邻于该半密集线条；以及(4)一具有一预定宽度的第二相位移区域，紧邻于该半密集线条，设置于与该第一相位移区域相反的一侧；其中该第一相位移区域与该第二相位移区域的相位差为180度。

主权项

1.一种交替式相位移光罩(alternating phase shiftingmask，Alt-PSM)，其包含有：一透光基板；一密集线条(dense line)图案，设于该透光基板上；至少一半密集线条图案，设于该密集线条图案的边缘；一具有一第一预定宽度的第一相位移区域(phase shiftingarea)，设置于该密集线条图案以及该半密集线条图案之间，并紧邻于该密集线条图案；一与该第一相位移区域不相连接且具有一第二预定宽度的第二相位移区域，设置于该密集线条图案以及该半密集线条图案之间，并紧邻于该半密集线条图案；以及一具有与该第二相位移区域相同宽度的第三相位移区域，设置于与该第二相位移区域相反的一侧，并紧邻于该半密集线条图案；其中该第一相位移区域以及该第二相位移区域的相位差为0度，该第二相位移区域以及该第三相位移区域的相位差为180度。