发明名称 非挥发性内存的可靠性测试方法与电路
摘要 一种非挥发性内存的可靠性测试方法,包括:决定一栅极电压与读取电流衰减率的关系曲线;预估该一实际栅极电压与对应该栅极电压的一读取电流衰减率;从该关系曲线,求得对应该实际栅极电压的一加速测试栅极电压与一测试时间;以该加速测试栅极电压,连续在该测试时间内进行测试;以及测量对应该加速测试栅极电压的一读取电流,并判断该加速测试栅极电压下,该内存是否仍有效,以完成此非挥发性内存的可靠性测试。
申请公布号 CN1405781A 申请公布日期 2003.03.26
申请号 CN01130670.X 申请日期 2001.08.17
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 蔡文哲;邹年凯;黄兰婷;汪大晖
分类号 G11C29/00 主分类号 G11C29/00
代理机构 北京集佳专利商标事务所 代理人 王学强
主权项 1.一种非挥发性内存的可靠性测试方法,其特征在于:包括:决定一栅极电压与读取电流衰减率的一关系曲线;预估该一实际栅极电压与对应该栅极电压的一读取电流衰减率;从该关系曲线,求得对该实际栅极电压的一加速测试栅极电压与一测试时间;以该加速测试栅极电压,连续在该测试时间内进行测试;测量对应该加速测试栅极电压的一读取电流,并判断该加速测试栅极电压的该读取电流是否满足一产品规格;其中当满足该产品规格时,则判断为有效;当不满足该产品规格时,则判断为失效。
地址 台湾省新竹科学工业园区力行路16号
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