发明名称 | 非挥发性内存的可靠性测试方法与电路 | ||
摘要 | 一种非挥发性内存的可靠性测试方法,包括:决定一栅极电压与读取电流衰减率的关系曲线;预估该一实际栅极电压与对应该栅极电压的一读取电流衰减率;从该关系曲线,求得对应该实际栅极电压的一加速测试栅极电压与一测试时间;以该加速测试栅极电压,连续在该测试时间内进行测试;以及测量对应该加速测试栅极电压的一读取电流,并判断该加速测试栅极电压下,该内存是否仍有效,以完成此非挥发性内存的可靠性测试。 | ||
申请公布号 | CN1405781A | 申请公布日期 | 2003.03.26 |
申请号 | CN01130670.X | 申请日期 | 2001.08.17 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 蔡文哲;邹年凯;黄兰婷;汪大晖 |
分类号 | G11C29/00 | 主分类号 | G11C29/00 |
代理机构 | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人 | 王学强 |
主权项 | 1.一种非挥发性内存的可靠性测试方法,其特征在于:包括:决定一栅极电压与读取电流衰减率的一关系曲线;预估该一实际栅极电压与对应该栅极电压的一读取电流衰减率;从该关系曲线,求得对该实际栅极电压的一加速测试栅极电压与一测试时间;以该加速测试栅极电压,连续在该测试时间内进行测试;测量对应该加速测试栅极电压的一读取电流,并判断该加速测试栅极电压的该读取电流是否满足一产品规格;其中当满足该产品规格时,则判断为有效;当不满足该产品规格时,则判断为失效。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |