半导体器件的结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件结构及其制造方法。该半导体器件结构包括门电极和晕环离子注入区，其中，门电极具有T型结构，由具有低门阻抗和低寄生电容的第一和第二门电极组成，并且在晕环离子注入区中可以有效抑制短通道效应。制造该设备的方法能够执行大角度离子注入，而无需扩大门间距。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一离子注入区，在半导体衬底中形成；第二离子注入区，在第一离子注入区的两侧形成；晕环离子注入区，与第二离子注入区相邻，并与第一离子注入区相对；门氧化物层，在半导体衬底上形成；第一门电极，在门氧化物层上形成；硅氮化物(Si3N4)层，在半导体衬底上并且沿着门氧化物层和第一门电极的侧壁形成；氧化物层，与硅氮化物(Si3N4)层相邻，与第一门电极相对；第二门电极，在第一门电极、硅氮化物(Si3N4)层和氧化物层上形成；和第一隔离层，在第二门电极和氧化物层的侧壁上形成。