| 发明名称 | 硅半导体衬底及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种空洞型结晶无瑕疵区达到更深处及制造时间缩短的硅半导体衬底及其制造方法。所述的衬底是一种由佐奇拉斯基法或施加磁场佐奇拉斯基法(Czochralski)所生长的硅单晶体制得的，该硅半导体衬底是(1)利用一满足关系式0.2≥V/S/R的硅半导体衬底，其中V代表空洞型缺陷的体积，S代表其表面积，R代表假设具有与具有体积V的空洞型缺陷同样体积的球状缺陷的半径，及(2)在1150℃上将该衬底加以热处理而制得。 | ||
| 申请公布号 | CN1405841A | 申请公布日期 | 2003.03.26 |
| 申请号 | CN02143180.9 | 申请日期 | 2002.09.16 |
| 申请人 | 瓦克硅电子股份公司 | 发明人 | 立川昭义;石坂和纪 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/322 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 于辉 |
| 主权项 | 1.一种由佐奇拉斯基法或施加磁场佐奇拉斯基法所生长的硅单晶体制得的硅半导体衬底，其特征在于该硅半导体衬底可满足0.2≥V/S/R的关系，其中V代表空洞型缺陷的体积，S代表其表面积，R代表假设具有与具有体积V的空洞型缺陷同样体积的球状缺陷的半径。 | ||
| 地址 | 联邦德国布格豪森 | ||