| 发明名称 | 半导体器件和其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其制造方法，其在半导体基底中具有一对掺杂区域。硅层形成在掺杂区域上；栅极绝缘膜形成在所述各掺杂区域之间；栅极形成在栅极绝缘膜上；第一氮化硅膜形成在所述栅极上；氧化硅膜形成在栅极侧表面上；第二氮化硅膜部分地形成在硅层上，并形成在氧化硅膜的侧表面上；导电层形成在硅层上。 | ||
| 申请公布号 | CN1405896A | 申请公布日期 | 2003.03.26 |
| 申请号 | CN02142486.1 | 申请日期 | 2002.09.20 |
| 申请人 | 日本电气株式会社;株式会社日立制作所 | 发明人 | 古贺洋贵 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;关兆辉 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，它在半导体基底中具有一对掺杂区域，包括：硅层，它形成在掺杂区域上；栅极绝缘膜，它形成在所述掺杂区域之间；栅极，它形成在栅极绝缘膜上；第一氮化硅膜，它形成在所述栅极上；氧化硅膜，它形成在栅极的侧表面上；第二氮化硅膜，它部分地形成在硅层上，并形成在氧化硅膜的侧表面上；和导电层，它形成在硅层上。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||