半导体装置的制造方法

摘要

半导体装置的制造方法，包含：准备具备半导体基片、p型半导体层、n型半导体层、被形成在半导体基片上的具有多个开口的绝缘膜、被形成在上述开口内以及上述绝缘膜上的导体的基体，在研磨衬垫表面与基体的器件面接触的状态下，一边向该研磨衬垫和该基体之间提供膏剂，一边进行化学式机械研磨，除去绝缘膜上的导体，在上述多个开口内分别形成配线，在使上述基体的器件面和上述研磨衬垫表面接触的状态下，在该研磨衬垫和该基体之间，提供从由阳极水、使水溶解具有酸性的气体的第1溶液、使水含有游离原子·分子的第2溶液、阴极水，以及使水溶解具有还原性的气体的第3溶液组成的组中选择出的至少1种液体，解除上述研磨衬垫对上述基体的紧密接触。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，包含，准备具备半导体基片、被形成在该半导体基片上的p型半导体层、被形成在上述半导体基片上，和上述p型半导体层形成pn结的n型半导体层、被形成在上述半导体基片上的具有多个开口的绝缘膜、被形成在上述开口内以及上述绝缘膜上的，与上述p型半导体层以及n型半导体层电气连接的导体的基体；在使研磨衬垫表面与把形成有上述导体的器件面朝下的上述基体接触的状态下，一边向该研磨衬垫和该基体之间提供膏剂，一边使上述基体和上述研磨衬垫相对移动进行化学式机械研磨，除去上述绝缘膜上的导体，在上述多个开口内分别形成配线；在使上述基体的器件面和上述研磨衬垫表面接触的状态下，向该研磨衬垫和该基体之间，提供由在电解纯水得到的阳极水、使纯水溶解具有氧化性的气体的第1溶液、使纯水含有游离原子·分子的第2溶液、电解纯水得到的阴极水，以及使纯水溶解具有还原性的气体的第3溶液组成的组中选择出的至少1种液体；解除上述基体对上述研磨衬垫的紧密接触。