| 发明名称 | 多位磁存储单元 | ||
| 摘要 | 一种磁存储单元(10)包括串连的第一和第二磁阻器件(12，14)。第一和第二磁阻器件(12，14)具有不同的矫顽磁力(L1，L2)的第一和第二传感层(18，14)。磁随机存取存储器(MRAM)器件(812)可以包括这些存储单元(10)的阵列。 | ||
| 申请公布号 | CN1405777A | 申请公布日期 | 2003.03.26 |
| 申请号 | CN02128645.0 | 申请日期 | 2002.08.09 |
| 申请人 | 惠普公司 | 发明人 | J·H·尼科尔;M·布哈塔查尔亚 |
| 分类号 | G11C11/15;H01L43/08 | 主分类号 | G11C11/15 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 栾本生;梁永 |
| 主权项 | 1.一种磁存储单元(10)，包含串连的第一和第二磁阻器件(12，14)，第一磁阻器件(12)具有第一传感层(18)，第二磁阻器件(14)具有第二传感层(24)，第一和第二传感层(18，24)有不同的矫顽磁力。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||