| 主权项 |
1.一种形成浅沟槽隔离的方法,包括:提供一基板;形成一垫氧化层于上述基板上;形成一氮化层于上述垫氧化层上;蚀刻上述氧化层及垫化层,以形成复数开口并露出上述基板;利用上述垫氧化层和氮化层当作罩幕,蚀刻上述基板以形成复数沟槽;施行一高密度电浆化学气相沈积(HDPCVD)程序,以形成一第一氧化层填入上述沟槽中,并覆盖在上述氮化层表面上;施行一旋转蚀刻,以去除覆盖于上述氮化层表面上及上述沟槽顶部之上述第一氧化层;再施行上述高密度电浆化学气相沈积程序,以形成一第二氧化层填满上述沟槽,并覆盖在上述氮化层表面上;施行一化学性机械研磨(CMP)程序,以去除高于上述氮化矽层表面的部分;以及去除上述氮化层及垫氧化层。2.如申请专利范围第1项所述之形成浅沟槽隔离的方法,其中上述氮化层系利用化学气相沈积法形成。3.如申请专利范围第1项所述之形成浅沟槽隔离的方法,其中上述垫氧化层系利用热氧化法形成。4.如申请专利范围第1项所述之形成浅沟槽隔离的方法,其中上述垫氧化层的厚度系介于50至60之间。5.如申请专利范围第1项所述之形成浅沟槽隔离的方法,其中上述氮化矽层的厚度系介于1000至2000之间。6.如申请专利范围第1项所述之形成浅沟槽隔离的方法,其中上述沟槽的深度系介于5000至7000之间。7.如申请专利范围第1项所述之形成浅沟槽隔离的方法,其中上述第一氧化层的厚度系介于3000至4000之间。8.如申请专利范围第1项所述之形成浅沟槽隔离的方法,其中上述高密度电浆化学气相沈积程序系使用氧气(O2)和矽甲烷(SiH4)当作反应物,并施以Ar电浆溅击(sputter)以沈积该第一氧化层。9.如申请专利范围第1项所述之形成浅沟槽隔离的方法,其中该高密度电浆化学气相沈积程序系使用O2和SiH4当作反应物,并施以Ar电浆溅击来沈积上述第二氧化层。10.如申请专利范围第1项所述之形成浅沟槽隔离的方法,其中上述第一氧化层形成之前更包括形成一衬垫氧化层于上述复数浅沟槽侧壁与底部。11.如申请专利范围第10项所述之形成浅沟槽隔离的方法,其中上述衬垫氧化层系利用热氧化法形成。图式简单说明:第1A-1G图,系显示习知浅沟槽隔离制程之剖面图。第2图,显示一习知浅沟槽隔离制程之剖面图。第3A-3I图,系显示本发明之浅沟槽隔离制程的剖面图。 |
