| 主权项 |
1.一种形成用于半导体装置之闸极导体的制程,其中包括步骤:提供具有于其上形成之闸极堆叠的半导体基材,而该闸极堆叠包含一侧壁;于该闸极导体侧壁上形成介电间隔物,而该间隔物包括内部间隔物及外部间隔物;于外部植布电子于介电间隔物之半导体基材内;以及除去外物间隔物。2.如专利申请范围第1项之制程,其中外部间隔物是一种掺杂性玻璃材料。3.如专利申请范围第1项之制程,其中外部间隔物之厚度大于内部间隔物。4.如专利申请范围第1项之制程,其中外部间隔物可从由BSG、PSG、BPSG、FSG、F-BSG、ASG及TEOS所组成之群组中来选择。5.如专利申请范围第1项之制程,其中形成步骤包括沈积第1层介电材料于半导体基材与闸极堆叠之上,然后再沈积第2层的掺杂性玻璃或TEOS于第1层之上。6.如专利申请范围第5项之制程,其中介电材料可从由氮化物或氧化物所组成之群组中来选择。7.如专利申请范围第5项之制程,其中形成步骤进一步包括蚀刻第1层及第2层之水平表面以形成介电间隔物的步骤。8.如专利申请范围第1项之制程,其中进一步包括沈积障壁层于闸极导体堆叠与半导体积材之上的步骤,并接着除去之步骤。9.如专利申请范围第8项之制程,其中障壁层包括氮化层。10.如专利申请范围第8项之制程,其中内部间隔物由氮氧化物所形成,而障壁层由电浆强化之氮化矽所形成。11.一种形成用于半导体装置之闸极导体的制程,其中包括步骤:提供具有于其上形成之氧化层与闸极堆叠的半导体基材,而该闸极堆叠包含在氧化物层上的多晶矽层、在多晶矽层上的导体材料层、以及在导体材料层上的氮化物插接帽层,并且氮化物之预间隔物包围至少部份的堆叠以形成闸极导体侧壁;于该闸极导体侧壁上形成介电间隔物,而该介电间隔物包括内部间隔物及外部间隔物;于外部植布电子于介电间隔物之半导体基材内;以及除去外物间隔物。12.如专利申请范围第11项之制程,其中外部间隔物是一种掺杂性玻璃材料。13.如专利申请范围第11项之制程,其中外部间隔物之厚度大于内部间隔物。14.如专利申请范围第11项之制程,其中外部间隔物可从由BSG、PSG、BPSG、FSG、F-BSG、ASG及TEOS所组成之群组中来选择。15.如专利申请范围第11项之制程,其中形成步骤包括沈积第1层介电材料于半导体基材与闸极堆叠之上,然后再沈积第2层的掺杂性玻璃或TEOS于第1层之上。16.如专利申请范围第15项之制程,其中介电材料可从由氮化物或氧化物所组成之群组中来选择。17.如专利申请范围第15项之制程,其中形成步骤进一步包括蚀刻第1层及第2层之水平表面以形成介电间隔物的步骤。18.如专利申请范围第11项之制程,其中进一步包括沈积障壁层于闸极导体堆叠与半导体积材之上的步骤,并接着除去之步骤。19.如专利申请范围第18项之制程,其中障壁层包括氮化层。20.如专利申请范围第18项之制程,其中内部间隔物由氮氧化物所形成,而障壁层由电浆强化之氮化矽所形成。图式简单说明:第1-5图展示根据本发明之形成半导体装置制程的连续横切面图。 |
