| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离结构之制造方法,包含下列步骤:提供一基板;于该基板上方形成一罩幕层;去除部分罩幕层及基板以形成一沟渠;对该沟渠进行填补,以形成一绝缘层;形成一平坦层于该绝缘层之上方;对该平坦层进行一再热流制程(Reflow)以及对该绝缘层进行一回火制程;对该平坦层及该绝缘层进行一平坦化制程;去除该罩幕层,进而完成一具平坦化表面之浅沟渠隔离结构。2.如申请专利第1项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,其中该基板系为一矽基板。3.如申请专利第1项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,其中该罩幕层系包含:一垫氧化矽层(Pad Oxide),其形成于该基板之上方;以及一氮化矽层(SiNx),其形成于该垫氧化矽层之上方。4.如申请专利第1项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,其中该绝缘层系为一氧化矽层(SiOx)。5.如申请专利第4项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,其中该氧化矽层系以高密度电浆沈积法(HDP)所沈积完成。6.如申请专利第1项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,其中该平坦层系为一平坦化介电材料所完成。7.如申请专利第6项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,其中该平坦化介电材料系选自硼磷矽玻璃(BPSG)、磷矽玻璃(PSG)与旋涂式玻璃(SOG)中之一所完成。8.如申请专利第1项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,其中该平坦化制程系为一化学机械研磨法。9.如申请专利第1项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,其中该平坦层之功能为使该绝缘层凹陷部分之表面较为平整。10.如申请专利第1项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,尚包含以下步骤:在该沟渠结构上方覆盖一光阻;去除该光阻未覆盖之部份该平坦层及该绝缘层;和去除该光阻。图式简单说明:第一图(a)(b)(c):其系一浅沟渠隔离结构之习用技术制程示意图。第二图(a)(b)(c)(d)(e)(f):其系本案利用硼磷矽玻璃(BPSG)为平坦化介电材料所发展出之较佳实施例之制程示意图。 |
