| 主权项 |
1.一种自动侦测并隔离记忆体故障之方法,用以自动侦测一控制晶片控制之一记忆晶片之一故障,再经由选择设定一解码转换装置之一选择设定値,并将其存入一选择设定储存装置中,以隔离该故障,其包括下列步骤:选择是否进入一自动侦测功能;当选择进入该自动侦测功能时,选择设定该解码转换装置之一直通功能并设定一测试范围为该记忆晶片全部;依据该测试范围,扫描测试该记忆晶片,并判断是否有该故障;当有该故障时,分析该故障之一故障点分布情形,并依据该故障点分布情形,选择设定该解码转换装置之该选择设定値;将该选择设定値存入该选择设定储存装置;当选择不进入该自动侦测功能时,从该选择设定储存装置中读取该选择设定値;以及依据该选择设定値,回报可用之记忆体容量。2.如申请专利范围第1项所述之自动侦测并隔离记忆体故障之方法,其中之“分析该故障之一故障点分布情形,并依据该故障点分布情形,选择设定该解码转换装置之该选择设定値"包括下列步骤:当有该故障时,判断该故障是否位于该测试范围之上半部;当该故障位于该测试范围之上半部时,选择设定解码转换装置之一反相功能,以便将位于该测试范围上半部之该故障对调至下半部;判断该测试范围是否已达该控制晶片可隔离之最小范围;当该测试范围未达该控制晶片可隔离之最小范围时,将该测试范围缩小至本次测试范围的下半部;以及依据该测试范围,重新扫描测试该记忆晶片。3.一种自动侦测并隔离记忆体故障之应用系统,包括:一记忆晶片,用以储存资料或程式;一控制晶片,该控制晶片输出一位址及晶片选择讯号,用以控制该记忆晶片;一选择设定储存装置,用以设定并储存隔离该记忆晶片之一故障之一选择设定値;一解码转换装置,耦接至该控制晶片、该选择设定储存装置及该记忆晶片,用以接收该控制晶片输出之该位址及晶片选择讯号,并根据该选择设定値,将其转换为该输出位址及晶片选择讯号,来控制该记忆晶片;以及一韧体装置,耦接至该控制晶片,用以自动扫描侦测该记忆晶片之该故障,依据该记忆晶片之该故障分布情形,选择该解码转换装置之一解码功能,并将所选择之该解码功能的该选择设定値存入该选择设定储存装置,其中该解码功能可隔离该记忆晶片之该故障。4.如申请专利范围第3项所述之自动侦测并隔离记忆体故障之应用系统,其中该位址及晶片选择讯号包括:一第一组位址讯号、一第二组位址讯号、一行位址讯号、一列位址讯号、一第一晶片选择讯号以及一第二晶片选择讯号,该输出位址及晶片选择讯号包括:一输出组位址讯号、一输出行位址讯号、一输出列位址讯号、一第一输出晶片选择讯号以及一第二输出晶片选择讯号。5.如申请专利范围第4项所述之自动侦测并隔离记忆体故障之应用系统,其中该解码转换装置包括:一直通功能,用以直接将该位址及晶片选择讯号导通至该输出位址及晶片选择讯号;以及一反相功能,用以将该列位址讯号反相为该输出列位址讯号。6.如申请专利范围第5项所述之自动侦测并隔离记忆体故障之应用系统,其中该解码转换装置更包括:一晶片切割功能,用以将该记忆晶片切割模拟为复数个次容量之记忆晶片,其中当该第一晶片选择讯号以及该第二晶片选择讯号二者择一致能时,使该第一输出晶片选择讯号致能,当该第一晶片选择讯号致能且该第二晶片选择讯号禁能时,使该输出列位址讯号的最高位元为低准位,当该第一晶片选择讯号禁能且该第二晶片选择讯号致能时,使该输出列位址讯号的最高位元为高准位。7.如申请专利范围第5项所述之自动侦测并隔离记忆体故障之应用系统,其中该解码转换装置更包括:一损坏晶片切割功能,用以将部分损坏之该记忆晶片切割并隔离其损坏之部分,其中将该输出列位址讯号的最高位元固定为高准位及低准位二者择一。8.如申请专利范围第5项所述之自动侦测并隔离记忆体故障之应用系统,其中该解码转换装置更包括:一晶片合并功能,用以将已切割并隔离之复数个部分损坏之该记忆晶片合并模拟为完整之该记忆晶片,其中当该第一晶片选择讯号致能,且该列位址讯号的最高位元为低准位时,使该第一输出晶片选择讯号致能,当该第一晶片选择讯号致能,且该列位址讯号的最高位元为高准位时,使该第二输出晶片选择讯号致能。9.如申请专利范围第5项所述之自动侦测并隔离记忆体故障之应用系统,其中该解码转换装置更包括:一损坏晶片组位址切割功能,用以将部分损坏之该记忆晶片以分组方式切割并隔离其损坏之部分,其中将该输出组位址讯号的最高位元固定为高准位及低准位二者择一。10.如申请专利范围第5项所述之自动侦测并隔离记忆体故障之应用系统,其中该解码转换装置更包括:一组晶片合并功能,用以将已以分组方式切割并隔离之复数个部分损坏之该记忆晶片合并模拟为完整之该记忆晶片,其中当该第一晶片选择讯号致能,且该第一组位址讯号以及该第二组位址讯号均为低准位时,使该第一输出晶片选择讯号致能以及该输出组位址讯号为低准位,当该第一晶片选择讯号致能,且该第一组位址讯号为低准位以及该第二组位址讯号为高准位时,使该第一输出晶片选择讯号致能以及该输出组位址讯号为高准位,当该第一晶片选择讯号致能,且该第一组位址讯号为高准位以及该第二组位址讯号为低准位时,使该第二输出晶片选择讯号致能以及该输出组位址讯号为低准位,以及当该第一晶片选择讯号致能,且该第一组位址讯号为高准位以及该第二组位址讯号为高准位时,使该第二输出晶片选择讯号致能以及该输出组位址讯号为高准位。11.如申请专利范围第5项所述之自动侦测并隔离记忆体故障之应用系统,其中该解码转换装置更包括:一晶片组位址切割功能,用以将已以分组方式切割并隔离之部分损坏之该记忆晶片以分组方式再切割模拟为完整组数之次容量记忆晶片,其中当该第一组位址讯号以及该第二组位址讯号均为低准位时,使该输出组位址讯号为低准位以及该输出列位址讯号的最高位元为低准位,当该第一组位址讯号为低准位以及该第二组位址讯号为高准位时,使该输出组位址讯号为低准位以及该输出列位址讯号的最高位元为高准位,当该第一组位址讯号为高准位以及该第二组位址讯号为低准位时,使该输出组位址讯号为高准位以及该输出列位址讯号的最高位元为低准位,以及当该第一组位址讯号为高准位以及该第二组位址讯号为高准位时,使该输出组位址讯号为高准位以及该输出列位址讯号的最高位元为高准位。12.如申请专利范围第5项所述之自动侦测并隔离记忆体故障之应用系统,其中该选择设定储存装置系使用一电性可抹除可规划仅读记忆体。图式简单说明:第1图系显示一种自动侦测并隔离记忆体故障之应用系统图;以及第2图系显示根据本发明较佳实施例之一种自动侦测并隔离记忆体故障之施行步骤。 |
