| 主权项 |
1.一种保护氧化层免于离子植入时受损之方法,包括:提供表面已形成一闸氧化层之一基底;在该闸氧化层表面形成一缓冲层;以及对该基底进行一离子植入步骤,以形成一通道植入区与一抗击穿植入区。2.如申请专利范围第1项所述之保护氧化层免于离子植入时受损之方法,其中该闸氧化层的厚度不大于80埃。3.如申请专利范围第2项所述之保护氧化层免于离子植入时受损之方法,其中该闸氧化层的厚度为65埃至80埃。4.如申请专利范围第2项所述之保护氧化层免于离子植入时受损之方法,其中该缓冲层为一非晶矽层。5.如申请专利范围第4项所述之保护氧化层免于离子植入时受损之方法,更进一步包括在进行该离子植入步骤后,进行一回火制程将该非晶矽层转化成一未掺杂多晶矽层。6.如申请专利范围第4项所述之保护氧化层免于离子植入时受损之方法,其中该非晶矽层系形成于约摄氏500度至540度。7.如申请专利范围第4项所述之保护氧化层免于离子植入时受损之方法,其中该缓冲层之厚度约230埃至270埃。8.如申请专利范围第1项所述之保护氧化层免于离子植入时受损之方法,其中该离子植入步骤包括抗击穿植入。9.如申请专利范围第1项所述之保护氧化层免于离子植入时受损之方法,其中该离子植入步骤包括通道区植入。10.一种保护氧化层免于离子植入时受损之方法,包括:提供表面已形成一闸氧化层之一基底;在该闸氧化层表面形成一非晶矽缓冲层;对该基底进行一离子植入步骤,以形成一通道植入区与一抗击穿植入区;以及进行一回火制程将该非晶矽层转化成一未掺杂多晶矽层。11.如申请专利范围第10项所述之保护氧化层免于离子植入时受损之方法,其中该闸氧化层的厚度不大于80埃。12.如申请专利范围第11项所述之保护氧化层免于离子植入时受损之方法,其中该闸氧化层的厚度为65埃至80埃。13如申请专利范围第10项所述之保护氧化层免于离子植入时受损之方法,其中该回火制程包括快速热回火。14.如申请专利范围第10项所述之保护氧化层免于离子植入时受损之方法,其中该非晶矽层系形成于约摄氏500度至540度。15.如申请专利范围第10项所述之保护氧化层免于离子植入时受损之方法,其中该缓冲层之厚度约230埃至270埃。16.如申请专利范围第10项所述之保护氧化层免于离子植入时受损之方法,其中该离子植入步骤包括抗击穿植入。17.如申请专利范围第10项所述之保护氧化层免于离子植入时受损之方法,其中该离子植入步骤包括通道区植入。图式简单说明:第1A-1D图是依照本发明较佳实施例的一种保护氧化层免于离子植入时受损之方法之流程剖面图。 |
