| 主权项 |
1.一种半导体装置,其包含:第一图案,其系配置在半导体基板表面之第一区域上的位置对准用图案,至少在第一方向配置有(n+1)个(n为自然数),及第二图案,其系上述半导体基板表面的第二区域,形成在上述第一方向上,自上述第一区域向外侧延伸的第二区域内,至少在上述第一方向,以dD的周期配置复数个;设在上述第一方向上,与上述第一图案邻接的图案间之间距为dk(1≦k≦n),与上述第一方向之图案识别精度的关系系数为(1>>0);上述第一方向上,距最接近上述第二区域之上述第一图案的距离为D时,上述第二区域系设定成满足以下的关系式:;上述dD设定成就任意的上述dk满足以下的关系式:∣(dD-dk)/dk∣≧。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述第二图案为在与上述第一方向垂直之第二方向上连续的线图案。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述第二图案为在与上述第一方向垂直之第二方向上周期性的反覆形成。4.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中进一步包含第三图案,其具有与上述第二图案不同的形状,其系在上述第一方向上,自上述第二区域向外侧延伸的第三区域内,以至少在上述第一方向上,与上述第二图案间不同的间距形成复数个。5.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中上述第一图案为周期性反覆形成在与上述第一方向垂直之第二方向上的矩形图案。6.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中上述第一图案为在与上述第一方向垂直之第二方向上连续的线图案。7.一种半导体装置,其包含:第一图案,其系配置在半导体基板表面之第一区域上的位置对准用图案,至少在第一方向配置有(n+1)个(n为自然数),及第二图案,其系上述半导体基板表面的第二区域,形成在上述第一方向上,自上述第一区域向外侧延伸的第二区域内,至少在上述第一方向,非周期性的配置m个(m为自然数);设在上述第一方向上,与上述第一图案邻接的图案间之间距为dk(1≦k≦n),与上述第一区域及上述第二区域最接近之上述第一图案与上述第二图案在上述第一方向的间距为dm,当m≧2时,上述第一方向上,与上述第二图案邻接之各图案的间距为d(m-1),图案辨识精度的关系系数为d(1>>0),上述第一方向上,距最接近上述第二区域之上述第一图案的距离为D时,上述第二区域系设定成满足以下的关系式:上述dm系设定成就与任意之上述dk的组合满足以下的关系式:∣(dm-dk)/dk∣≧。8.如申请专利范围第7项之半导体装置,其中上述第二图案为在与上述第一方向垂直之第二方向上连续的线图案。9.如申请专利范围第7项之半导体装置,其中上述第二图案系周期性的反覆形成在与上述第一方向垂直之第二方向上。10.如申请专利范围第9项之半导体装置,其中进一步包含第三图案,其具有与上述第二图案不同的形状,其系在上述第一方向上,自上述第二区域向外侧延伸的第三区域内,以至少在上述第一方向上,与上述第二图案间不同的间距形成复数个。11.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中上述第一图案为周期性反覆形成在与上述第一方向垂直之第二方向上的矩形图案。12.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中上述第一图案为在与上述第一方向垂直之第二方向上连续的线图案。13.一种半导体装置,其包含:第一图案,其系配置在半导体基板表面之第一区域上的位置对准用图案,至少在第一方向配置有(n+1)个(n为自然数),及第二图案,其系形成在上述半导体基板表面的第二区域内,在上述第一方向连续成线状者,设在上述第一方向上,与上述第一图案邻接的图案间之间距为dk(1≦k≦n);上述第二区域之上述第一方向上的尺寸为S时,上述第二区域系设定成满足以下的关系式:。14.如申请专利范围第13项之半导体装置,其中进一步包含第三图案,其具有与上述第二图案不同的形状,其系在上述第一方向上,自上述第二区域向外侧延伸的第三区域内,至少在上述第一方向上形成复数个者,且在上述第一区域与上述第三区域之间,以最接近上述第一图案与上述第三图案之上述第一方向上不同的间距配置。15.如申请专利范围第14项之半导体装置,其中上述第二图案周期性的反覆形成在与上述第一方向垂直之第二方向上。16.如申请专利范围第15项之半导体装置,其中上述第一图案为在与上述第一方向垂直之第二方向上周期性反覆形成的矩形图案。17.如申请专利范围第15项之半导体装置,其中上述第一图案为在与上述第一方向垂直之第二方向上连续的线图案。18.一种半导体装置,其包含:第一图案,其系配置在半导体基板表面之第一区域上的位置对准用图案,至少在第一方向配置有(n+1)个(n为自然数),及第二图案,其系上述半导体基板表面的第二区域,形成在上述第一方向上,自上述第一区域向外侧延伸的第二区域内,至少在上述第一方向上m次反覆配置以复数个图案之组合作为一个单位的图案群;设在上述第一方向上,与上述第一图案邻接的图案间之间距为dk(1≦k≦n),上述第二区域中,配置有上述一个单位图案群之第三区域之上述第一方向上的尺寸为dD,上述第一方向上,距最接近上述第二区域之上述第一图案的距离为D,与上述第一方向之图案辨识精度的关系系数为(1>>0)时,上述第二区域系设定成满足以下的关系式:上述dD系设定成就任意的上述dk满足以下的关系式:∣(dD-dk)/dk∣≧。19.如申请专利范围第18项之半导体装置,其中进一步包含第三图案,其具有与上述图案群包含之图案不同的形状,其系在上述第一方向上,自上述第二区域向外侧延伸的第四区域内,至少在上述第一方向上,以不同于上述dD的间距配置复数个。20.如申请专利范围第19项之半导体装置,其中上述第一图案为周期性反覆形成在与上述第一方向垂直之第二方向上的矩形图案。21.如申请专利范围第19项之半导体装置,其中上述第一图案为在与上述第一方向垂直之第二方向上连续的线图案。图式简单说明:图1A为本发明之半导体装置的第一种实施形态重要部分平面图,图1B为图1A所示之半导体装置之区域Rp1内照射光束或电子束所获得的光强度侧面图或电子线强度侧面图。图2A为图1A所示之半导体装置一种变化型态的重要部分平面图,图2B为图2A所示之半导体装置之区域Rp2内照射光束或电子束所获得的光强度侧面图或电子线强度侧面图。图3为图1A所示之半导体装置其他变化型态的重要部分平面图。图4为本发明之半导体装置的第二种实施形态重要部分平面图。图5为本发明之半导体装置的第三种实施形态重要部分平面图。图6A及6B为说明促使半导体装置表面平坦化之必要性的概略剖面图。图7A及7B为说明邻近配置图案之必要性的概略剖面图。图8A及8B为采用先前技术对准方法的一种范例说明图。图9A及9B为采用先前技术对准方法的其他范例说明图。 |
