| 主权项 |
1.一种用于一个离子植入器(10)的电极总成(60),其系包括:至少一个电极(84);一个具有一用于安装该总成(60)至该植入器的安装表面(64)之壳体(62);至少一个用以提供电源给该至少一个电极(84)的电气引线(104);至少一个用以将该至少一个电极(84)附接至该壳体(62)的电气绝缘构件(92),该电气绝缘构件系由一种类似玻璃的材料所构成。2.如申请专利范围第1项之总成(60),其中该电气绝缘构件(92)系由石英(SiO2)所构成。3.如申请专利范围第1项之总成(60),其中该电气绝缘构件(92)系由一种耐热的并且耐蚀性的玻璃材料所构成。4.如申请专利范围第3项之总成(60),其中该绝缘构件(92)系由Pyrex所构成。5.如申请专利范围第1项之总成(60),其中该电极总成是一个四极透镜,一离子束(15)在该离子植入器(10)的动作期间通过该四极透镜,其中该至少一个电极(84)系包括四个电极(84a-84d),其中该至少一个电气引线系包括一用以电气激励一第一对电极(84a与84c)的第一引线(104)以及一用以电气激励一第二对电极(84a与84c)的第二引线108,并且其中该至少一个电气绝缘构件(92)系包括至少一个用以连接该第一对电极至该壳体的第一构件以及至少一个用以连接该第二对电极至该壳体的第二构件。6.如申请专利范围第5项之总成(60),其中该四极透镜系位于该离子植入器(10)中的一个射频(RF)直线加速器(18)内。7.如申请专利范围第5项之总成(60),其中该第一对电极系运作在大约+20仟伏特(KV)之下,并且该第二对电极系运作在大约-20KV之下。8.如申请专利范围第5项之总成(60),其中该电极(84a-84d)系由石墨所构成,并且其中该第一与第二电气绝缘构件(92)系包括复数个将该等电极附接至该壳体(62)的支座绝缘子。9.如申请专利范围第8项之总成(60),其中该复数个电气绝缘支座绝缘子(92)系抵抗当该离子束通过该四极透镜时,从该等电极(84a-84d)溅镀出的石墨之累积。10.一种静电的四极透镜总成(60),其系用于一个具有一个沿着离子束通过的轴(86)之离子植入器(10),该总成系包括:四个从该轴(86)径向地朝外的电极(84a-84d),彼此分开大约90,使得一第一对电极(84a与84c)彼此相对分开大约180,并且一第二对电极(84b与84d)也彼此相对分开大约180;一个具有一用于安装该总成(60)至该植入器的安装表面(64)之壳体(62),该壳体系至少部分地包围该四个电极(84a-84d);一个用以提供电源给该第一对电极(84a与84c)的第一电气引线(104);一个用以提供电源给该第二对电极(84b与84d)的第二电气引线(108);以及以一种类似玻璃的材料形成的复数个电气绝缘构件(92),其系包括至少一个用以将该第一对电极(84a与84c)附接到该壳体的第一电气绝缘构件、以及至少一个第二电气绝缘构件用以将该第二对电极(84b与84d)附接到该壳体。11.如申请专利范围第10项之总成(60),其中该复数个电气绝缘构件(92)是由石英(SiO2)所构成。12.如申请专利范围第10项之总成(60),其中该复数个电气绝缘构件(92)是由一种耐热的并且耐蚀性的玻璃材料所构成。13.如申请专利范围第12项之总成(60),其中该复数个电气绝缘构件(92)是由Pyrex所构成。14.如申请专利范围第10项之总成(60),其中该第一对电极系运作在大约+20仟伏特(KV)之下,并且该第二对电极系运作在大约-20KV之下。15.如申请专利范围第10项之总成(60),其中该等电极(84a-84d)是由石墨所构成,并且其中该复数个电气绝缘构件(92)系包括复数个将该等电极附接至该壳体(62)的支座绝缘子。16.如申请专利范围第15项之总成(60),其中该复数个电气绝缘支座绝缘子(92)系抵抗当该离子束通过该四极透镜时,从该等电极(84a-84d)溅镀出的石墨之累积。图式简单说明:图1是一种高能量的离子植入器之概要方块图,其中系纳入本发明用以减少高电压崩溃与电流崩溃之发生;图2是根据本发明的原理所建构之静电四极透镜的立体图,其系被纳入到图1的离子植入器之直线加速器部分;图3是图2的静电四极透镜之分解图;并且图4是图2的静电四极透镜沿着线段4-4的部分剖面图。 |
