| 主权项 |
1.一种薄膜形成用组成物,其包含:(A)在催化剂和水的存在下,藉由将(A-1)和(A-2)水解并缩合所得到的水解和缩合产物:(A-l)至少一个选自由下列化学式(1)所示化合物RaSi(OR1)4-a (1)其中R表示氢原子、氟原子或单价有机基,R1表示单价有机基,且a为1或2之整数;下列化学式(2)所示化合物Si(OR2)4 (2)其中R2表示单价有机基;和下列化学式(3)所示化合物R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c (3)其中R3至R6可能是相同或不同且分别表示单价有机基,b和c可能是相同或不同且分别为0至2的整数,R7表示氧原子、伸苯基、或是由-(CH2)n-所示官能基,其中n为1至6的整数,且d为0或1;所组成的族群之化合物;以及(A-2)至少一个由下列化学式(4)所示化合物R83SiOR9 (4)其中R8和R9分别独立地表示单价有机基;以及(B)有机溶剂。2.如申请专利范围第1项之薄膜形成用组成物,其中以重量计每100份之成分(A-1)(就完全水解和缩合的产物而言)中,所存在该成分(A-2)的量是以重量计2至100份(就完全水解和缩合的产品而言)。3.如申请专利范围第1项之薄膜形成用组成物,其中该催化剂为选自由氨、烷基胺、四烷基氢氧化铵、氢氧化钠和氢氧化钾所组成的族群中之硷性催化剂。4.如申请专利范围第1项之薄膜形成用组成物,其中该有机溶剂(B)包含以下列化学式(5)所示之溶剂:R10O(CHCH3CH2O)eR11 (5)其中R10和R11分别独立地表示氢原子,或是选自具有1至4个碳原子之烷基和CH3CO-所组成的族群之单价有机基;且e为1或2的整数。5.一种如申请专利范围第1项之薄膜形成用组成物之制法,其中,在反应容器中,使成分(A-1)与依据每莫耳之成分(A-1)及(A-2)的总和之20至150莫耳的水,在依据每莫耳之R1O-,R2O-,R4O-,R5O-及R9O-官能基的总量之0.00001至10莫耳之触媒的存在下,并于0至100℃之温度进行反应;以及按着再加入成分(A-2)来进行反应,以将固体成分浓度调整成2~30重量%。6.一种薄膜形成用方法,其包含将如申请专利范围第1项之薄膜形成用组成物涂覆于基板上,然后加热该所得涂层。7.一种矽石基膜,系以如申请专利范围第6项之薄膜形成用方法所得到的。8.如申请专利范围第7项之矽石基膜,其具有2.3或更低之介电常数。 |
