| 主权项 |
1.一种使用一光刻式光罩来构形一化学放大光阻之方法,其包含有下列之步骤:施以该化学放大光阻于一半导体基材之上;施以该化学放大光阻一烘烤过程;使用该光刻式光罩将光阻层之若干部分曝光;将该化学放大光阻暴露于一具有1ppb以上浓度的硷性气体历经一预先决定的时间;以及移除被曝光之光阻层的部分以形成所指定的图样。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该硷性气体为NH3。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该光阻是用硷性溶液来显影。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该光阻是用氢氧化四甲基铵(TMAH)显影。5.如申请专利范围第1项之方法,其中施以该光阻于该半导体基材上以及施以该烘烤过程于该光阻的步骤是在该硷性气体密度低于1ppb下于一光阻处理系统中被进行。6.如申请专利范围第1项之方法,其中在暴露该光阻于该硷性气体的步骤中,该硷性气体的密度系高于20ppb。7.如申请专利范围第6页之方法,其中在暴露该光阻于该硷性气体之步骤中,该半导体基材系被置于一洁净室之一界面中。8.如申请专利范围第6项之方法,其中在暴露该光阻于该硷性气体之步骤中,该半导体基材系被置于一硷性气体反应腔体中,其中该硷性气体之密度系被控制在高于20ppb。9.如申请专利范围第6项之方法,其中在暴露该光阻于该硷性气体之步骤中,该半导体基材系被暴露于该硷性气体历经一足以中和在该化学放大光阻之非暴露部分所形成的氢离子之预先决定的时间。10.如申请专利范围第1项之方法,其中在暴露该光阻于该硷性气体之步骤中,该半导体基材系被暴露于该具有密度20ppb之硷性气体历经约5分钟。图式简单说明:第1图为一般光刻式相移光罩的垂直横截面图;第2图为一图形显示穿越过第1图所示之相移光罩的光之相位和振幅;第3图为一图形显示第2图中光之强度;第4图为当第2图中之光穿过相移光罩而到达光阻薄膜,且光阻薄膜显影后,半导体基材之垂直横截面图;第5图为对应于第4图之半导体基材平面图;第6图为形成一般光阻图样之流程图;第7A图为在上面有光阻图样形成之半导体基材的平面图;第7B图为第7A图沿着Ⅶb-Ⅶb'线所截取的垂直横截面图;第8图为依据本发明构形光阻的流程图;第9A图为依据本发明形成光阻图样的系统安排图;第9B图为依据本发明形成光阻图样的另一系统安排图;第10A-10C图按顺序显示依据本发明而制造化学放大光阻。 |
