| 主权项 |
1.一种生产过二硫酸铵、钠及钾系列的过二硫酸盐之制造方法,包含:含有硫酸铵、钠及钾系列的盐及/或相当的硫酸氢等水性电解质之阳极氧化作用在一电解槽中,此电解槽包含至少一阳电极、一阴电极及一阳极电解质区(室),其被隔离物(膜)自阴极电解质区隔离,或邻接气体扩散阴极,其特征为用钻石膜装膜在导电载体,且以三价或五价元素添补使其导电,用以当阳电极,且不加促进剂至阳极电解质中。2.如申请专利范围第1项之过二硫酸盐之制造方法,其中以硼添补之钻石膜装膜在矽、锗、钛、锆、铌、钽、钼、钨及此等元素之碳化物系列载体上,作为阳电极之用。3.如申请专利范围第1或2项之过二硫酸盐之制造方法,其中过二硫酸铵系在一电解槽中制造,电解槽含有:一阳极电解质区(室)、阴极电解质区及一隔离物(膜);硫酸铵300~500g/L及硫酸0~0.2mol/mol硫酸铵水性溶液用来当阳极电解质,及一硫酸硫酸铵溶液用来当阴极电解质;在电流密度范围50~1000mA/cm2下,实施阳极氧化作用及过二硫酸铵是以既知方式从阳极电解质结晶析出,并分离即成。4.如申请专利范围第3项之过二硫酸盐之制造方法,其中该隔离物为离子交换膜。5.如申请专利范围第3项之过二硫酸盐之制造方法,其中该阳极电解质为中性的阳极电解质。6.如申请专利范围第3项之过二硫酸盐之制造方法,其中该阳极氧化作用系在电流密度范围400至900mA/cm2下实施。7.如申请专利范围第1或2项之过二硫酸盐之制造方法,其中过二硫酸钠系在一电解槽中制造,电解槽含有:一阳极电解质及一阴极电解质电路,彼此以隔离物(膜)隔离,以含有硫酸氢钠NaHSO4 300~700g/L之阳极电解质溶液的阳极氧化作用制造之,其电流密度范围50~1000mA/cm2,使用硫酸硫酸氢钠溶液作为阴极电解质。8.如申请专利范围第7项之过二硫酸盐之制造方法,其中该隔离物为离子交换膜。9.如申请专利范围第7项之过二硫酸盐之制造方法,其中该阳极氧化作用系在电流密度范围400至900mA/cm2下实施。图式简单说明:图1:显示当以白金电极(比较实施例)及使用根据本发明之硼添补钻石电极制造过二硫酸铵时,其电流效率作为电流密度函数时之过程。图2:显示以钻石电极或白金电极,在平均电流密度下,电流效率依过二硫酸钠浓度变化之使用过二硫酸钠实施例。 |
