半导体装置及制造方法

摘要

本发明之目的在于提供一种即使在端子数多的情况亦可提高安装可靠度及电源/接地平坦面(plane)特性，且可廉价实现多脚的半导体记忆装置及制造方法。由于其即使安装基板16之尺寸很大亦可提高锡球9之安装可靠度，且可实现从700超过1000接脚级数(pin class)之多脚端子数的BGA型半导体装置。结果，由于可不用在使用PGA型半导体装置时所需要之安装用插座(socket)等，所以可减低成本。更且，即使在多脚端子数的情况，由于可提高信号用端子之自由度且将信号用端子配置成全矩阵(full matrix)状，所以可缩小半导体晶片2之尺寸，且可提高半导体晶片2与BGA基板1间之凸块(bump)3的可靠度，并可廉价实现多脚之半导体。

主权项

1.一种半导体装置,其特征在于:包含有,有机基板,使用有机材料所形成;封装部,层合有复数个前述有机基板;堆叠贯穿孔,俾使设于前述封装部上所层合之各前述有机基板上的连接孔,朝层合有前述有机基板的方向直接相互联系;以及半导体晶片,具有以预定间距所形成的凸块,而该凸块系接合于形成前述封装部之上面的有机基板上,而前述堆叠贯穿孔所形成之间距,系与形成有前述半导体晶片所具有之凸块的预定间距形成相同的间距。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述封装部系具有电源平坦面与接地平坦面,更具备有在前述电源平坦面与接地平坦面之间使用高介电系数材料所形成的高介电系数层,且分别以覆晶接合技术接合前述半导体晶片所具有之凸块和前述电源平坦面之间、及与该凸块不同之其他的凸块和前述接地平坦面之间。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中更具备晶片电容器,该晶片电容器系位于形成前述封装部之下面的有机基板之下面,且形成于前述半导体晶片之边缘部分的下方位置上。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中更具备有,环,安装在形成前述封装部之上面的有机基板上;以及黏着部,使用设于前述环与形成前述封装部之上面的有机基板之间的高介电系数材料所形成。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中更具备有带部,该带部系使用安装形成前述封装部之上面的有机基板之下面的高介电系数材料所形成。6.如申请专利范围第1至5项中任一项之半导体装置,其中更具备使用安装前述封装部之有机材料所形成的安装基板,而该安装基板之热膨胀系数与形成前述有机基板之有机材料的热膨胀系数为相等者。7.如申请专利范围第6项之半导体装置,其中更具备带部,该带部系在前述安装基板上,且系使用安装于前述半导体晶片之下方区域上的高介电系数材料所形成。8.一种半导体装置之制造方法,其特征在于:包含有,层合复数片使用有机材料的有机基板以形成封装部的步骤;使设于前述封装部上所层合之各前述有机基板上的连接孔,朝层合有前述有机基板的方向直接相互联系以形成堆叠贯穿孔的步骤;以及用以接合在形成前述封装部之上面的有机基板上具有以预定间距所形成之凸块的半导体晶片的步骤,而前述堆叠贯穿孔所形成之间距,系与形成有前述半导体晶片所具有之凸块的预定间距形成相同的间距。图式简单说明:图1为本发明之实施形态1之半导体装置的剖面图。图2为本发明之实施形态2之半导体装置的剖面图。图3为说明图2之高介电系数层之功能用之半导体装置的剖面图。图4为本发明之实施形态3之半导体装置的剖面图。图5为本发明之实施形态4之半导体装置的剖面图。图6为本发明之实施形态5之半导体装置的剖面图。图7为本发明之实施形态6之半导体装置的剖面图。图8为习知之半导体层的剖面图。图9显示图8之晶片电容器12的布局图。