发明名称 Gegen eine elektrostatische Beschädigung (ESD) geschützte Photomaske
摘要 Eine Photomaske (19), die gegen eine elektrostatische Beschädigung geschützt ist, und ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Photomaske sind offenbart. Die Photomaske (8) weist ein transparentes Substrat (10) auf, auf dem eine lichtundurchlässige Struktur, wie z. B. Linien (12), (14), (16) und (18), aufgebracht ist. Ein transparenter leitfähiger Film (30) ist über dem Substrat (10) und der Struktur derart aufgebracht, dass die verschiedenen Abschnitte der Struktur (Linien (12), (14), (16) und (18)) alle auf dem gleichen elektrischen Potential gehalten werden, wodurch eine Beschädigung aufgrund einer elektrostatischen Entladung verhindert wird.
申请公布号 DE10235229(A1) 申请公布日期 2003.03.20
申请号 DE2002135229 申请日期 2002.08.01
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES RICHMOND LLP, SANDSTON 发明人 AKBAR, SHAHZAD
分类号 G03F1/00;G03F1/48 主分类号 G03F1/00
代理机构 代理人
主权项
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