摘要 |
Es werden Maßnahmen vorgeschlagen, mit denen sich die Wirksamkeit des Hochvolt(HV)-Screenings von integrierten Schaltungen mit einer Speicherstruktur und einem Word-Decoder deutlich verbessern lässt. DOLLAR A Jeweils mehrere Speicherzellen (11) der Speicherstruktur (1) sind zu einem Wort zusammengefasst. Die Ausgänge des Word-Decoders (2) sind über wordlines (12) mit jeweils einem Wort der Speicherstruktur (1) verbunden. Der Word-Decoder (2) bestimmt mit Hilfe einer Schaltungslogik aus anliegenden Adressbits zunächst die Komplemente dieser Adressbits. Dann bestimmt der Word-Decoder (2) mit Hilfe der Schaltungslogik aus den Adressbits und deren Komplementen für jedes Wort der Speicherstruktur (1) ein wordline-Signal als 0 oder 1 und kann auf diese Weise ein Wort der Speicherstruktur (1) für einen Zugriff, d. h. für einen Lesevorgang und/oder einen Schreibvorgang, frei schalten. Beim HV-Screening wird die Versorgungsspannung bei verschiedenen, als Screening-Vektoren bezeichneten, Schaltungszuständen erhöht. DOLLAR A Erfindungsgemäß umfasst die Schaltungslogik wahlweise aktivierbare Mittel zum Gleichsetzen der Adressbits mit deren Komplementen, so dass zum Realisieren von Screening-Vektoren ein Testmodus aktiviert werden kann, bei dem alle Adressbits gleichgestzt werden und die Komplemente der Adressbits den Adressbits ebenfalls gleichgesetzt werden.
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