半导体存储单元和半导体存储装置

摘要

本发明具有包含第1绝缘层，电荷积蓄层和第2绝缘层三层的栅极绝缘膜，和在这个栅极绝缘膜上形成的栅极，包含可以电写入/擦除信息的存储单元，电荷积蓄层由硅氮化膜或硅氧氮化膜构成，第1绝缘层和第2绝缘层分别由硅氧化膜或有比上述电荷积蓄层多的氧组成的硅氧化膜构成，第2绝缘层的厚度比5(nm)大，栅极由包含p型杂质的p型半导体构成。

主权项

1.可以电写入/擦除信息的半导体存储单元，它是由作为包含第1绝缘层，电荷积蓄层和第2绝缘层三层的层积构造的栅极绝缘膜，上述电荷积蓄层由硅氮化膜或硅氧化膜构成，上述第1绝缘层和第2绝缘层分别由硅氧化膜或有比上述电荷积蓄层多的氧组成的硅氧化膜构成，上述第2绝缘层的厚度比5(nm)大的栅极绝缘膜；和在上述栅极绝缘膜上形成的，包含p型杂质的p型半导体构成的控制电极构成的。