| 发明名称 | 集成射频电路 | ||
| 摘要 | 射频电路(310)可以在建立起两个反向偏置结的三重阱(316、318、320)上方形成。通过调节结两端的偏置，可以减小结电容，从而减小从射频电路(310)到衬底(316)的电容性耦合，改善电感器的自谐振频率并减小干扰信号和噪声从底层衬底到有源电路和无源元件如电容器和电感器的耦合。因此，一些射频装置(如无线电设备)、蜂窝电话和收发信机(如蓝牙收发信机)、逻辑器件以及闪速存储器和SRAM存储器全都可以采用CMOS制造工艺在同一集成电路芯片中形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1404138A | 申请公布日期 | 2003.03.19 |
| 申请号 | CN02131820.4 | 申请日期 | 2002.09.06 |
| 申请人 | 硅芯片公司 | 发明人 | 王鼎华;C·L·胡 |
| 分类号 | H01L21/82;H01L27/00 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：在衬底中的三重阱上方形成共源-共栅放大电路的共栅极晶体管；和经电阻器对所述三重阱中的一阱加偏压。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||