用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法

摘要

用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法，涉及一种全新的氢还原生产多晶硅的工艺。首先，在0.5－0.8大气压的干燥惰性气体保护下对三氯氢硅(SiHCl₃)、四氯化硅(SiCl₄)进行精炼纯化，其纯度达到9－10个9；同时对氢气也进行纯化到5－6个9；然后，将上述物料按照硅转化率0.08％及氯氢比0.15％所规定的流量，喷入氢还原炉，其还原温度控制在1145－1155℃，炉身、炉底温度保持150℃；最后，在炉内硅棒上制得低成本、高质量、高产率的产品多晶硅。本发明充分利用生产过程产生的SiCl₄、HCl等，达到既保证高质量、高产率，又降低原材料工业硅、氢气及氯气的消耗，从而降低了成本。

主权项

1.用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法，其特征在于：将生产过程产生及回收后精练提纯的SiCl4与SiHCl3一起进入还原炉，按照硅转化率0.08％及氯氢比0.15％所规定的流量，并将还原温度提高到1145℃-1155℃，炉身、炉底温度保持150℃，即可获得快速的硅沉积速率，即在炉内硅棒上制得低成本、高质量、高产率的产品多晶硅。