镶嵌式内连线的制造方法

摘要

一种镶嵌式内连线的制造方法，依次包括下列步骤：形成介电层于半导体基底；蚀刻介电层形成沟槽；于介电层及沟槽的侧壁及底部形成阻障层；形成金属层于阻障层，并填满沟槽；执行化学机械研磨制程，移除位于介电层上方的阻障层及金属层；形成附着层于金属层，最后形成密封层以覆盖附着层。使密封层与金属层具有较佳的附着度的功效。

主权项

1、一种镶嵌式内连线的制造方法，其特征是：它至少依次包含下列步骤：(1)提供一半导体基底；(2)形成一介电层于所述基底上；(3)蚀刻所述介电层，以形成一沟槽；(4)形成一阻障层于所述介电层及沟槽的侧壁及底部；(5)形成一金属层于所述阻障层，并填满所述沟槽；(6)执行化学机械研磨制程，以进行所述金属层表面的平坦化处理；(7)形成一附着层以覆盖所述金属层的表面；(8)形成密闭层于所述附着层。