| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung schafft eine Halbleiterstruktur, die einen ersten Bereich (10) mit einem ersten Dotiertyp und einer ersten Dotierkonzentration und einen zweiten Bereich (12) mit einem zweiten Dotiertyp und einer zweiten Dotierkonzentration aufweist, wobei der zweite Dotiertyp zu dem ersten Dotiertyp unterschiedlich ist. Der zweite Bereich (12) ist so angeordnet, daß er an den ersten Bereich (10) angrenzt. Die Halbleiterstruktur umfaßt ferner einen dritten Bereich (16a-e) mit dem ersten Dotiertyp und einer dritten Dotierkonzentration, wobei der dritte Bereich (16a-e) innerhalb des zweiten Bereichs (12) angeordnet ist, so daß der dritte Bereich (16a-e) im wesentlichen vollständig in einer Raumladungszone in dem zweiten Bereich (12) angeordnet ist, die entsteht, wenn eine Betriebsspannung an die Halbleiterstruktur angelegt wird. <IMAGE></p> |
