局部形成自对准金属硅化物的方法

摘要

本发明有关一种形成自对准金属硅化物的方法，特别是有关于一种在部分区域形成自对准金属硅化物的方法。本发明利用一氧化物层作为遮罩层，以顺利在逻辑电路上局部形成自对准金属硅化物。在晶胞阵列的区域上，只有在闸极上形成金属硅化物，而在扩散区域则无金属硅化物。而在周边电路区域上，闸极与扩散区域均可形成金属硅化物。本发明的方法可使半导体元件获得较低的电阻，且较不会产生漏电流的缺陷。

主权项

1.一种在一局部区域形成一自对准金属硅化物的方法，其特征在于至少包括：提供一晶片，所述晶片至少包括一底材，所述底材至少包括一第一区域与一第二区域；形成一第一氧化物层于所述底材上；形成一硅层于所述第一氧化物层上；形成一氮化物层于所述硅层上；移除部分的所述氮化物层与所述硅层以在所述第一区域上形成数个第一闸极与数个第一扩散区域并在所述晶片的一第二区域上形成数个第二闸极与数个第二扩散区域，其中所述数个第一扩散区域位于所述数个第一闸极的一侧且所述数个第二扩散区域位于所述数个第二闸极的一侧；形成一第二氧化物层于所述数个第一扩散区域、所述数个第一闸极、所述数个第二扩散区域与所述数个第二闸极之上；移除部分所述第二氧化物层以在所述数个第一闸极的一顶部与所述数个第二闸极的一顶部露出所述氮化物层；移除所述氮化物层以在所述数个第一闸极的所述顶部与所述数个第二闸极的所述顶部露出所述硅层；形成一遮罩层于所述第二区域上的所述数个第二闸极与所述第二氧化物层上；移除部分所述第二氧化物层以在所述数个第一闸极的一侧壁上形成一间隙壁并在所述数个第一扩散区域上露出所述第一氧化物层；形成一源极/汲极区域于所述数个第一扩散区域；形成一金属层于所述数个第一闸极、所述数个第一扩散区域、所述第二氧化物层与所述数个第二闸极上；进行一快速加热制程以在所述数个第一闸极、所述数个第一扩散区域与所述数个第二闸极上形成一金属硅化物层；及移除所述金属层。