发明名称 | 非挥发性半导体存储器件 | ||
摘要 | 本发明提供了包括新型存储器核心部分的非挥发性半导体存储器件,其中存储器单元信息读通路上的寄生元件影响在读操作时被排除,以及伴随这种存储器核心结构,用来实现快速检测的新型检测方法。在存储器核心部分中,被选择的存储器单元被全局位线通过局部位线选择,相邻的全局位线被连接至未被选择区段中的局部位线。列选择部分连接一对全局位线至一对数据总线。具有等价于来自存储器单元通路上的寄生电容的,并用于提供参考电流至参考侧的负载部分被连接至一对数据总线上。存储器单元信息电流通过电流比较部分与参考电流相比较,差分电流被输出。通路负载被一对邻近通路所均衡,以便噪声效应被抵消,从而能实现快速读取。 | ||
申请公布号 | CN1404156A | 申请公布日期 | 2003.03.19 |
申请号 | CN02107558.1 | 申请日期 | 2002.03.15 |
申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 新林幸司;古山孝昭 |
分类号 | H01L27/112;G11C16/04 | 主分类号 | H01L27/112 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
主权项 | 1.一种非挥发性半导体存储器件,包括连接了多个非挥发性存储器单元的多个数字线,其中在读取存储器单元信息时,数字线包括连接至被选择的非挥发性存储器单元的第一数字线;和仅连接至未被选择的非挥发性存储器单元的第二数字线,而以第一和第二数字线成对,存储器单元信息被读出。 | ||
地址 | 日本神奈川 |