| 发明名称 | 一种氮化氧化膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种氮化氧化膜的制备方法，将氮离子注入到硅衬底中再氧化。步骤为：在完成隔离的硅片上清洗后生长注前氧化膜，然后对有源区进行<SUP>14</SUP>N<SUP>+</SUP>注入；漂净注前氧化膜；清洗后用HF/IPA/H<SUB>2</SUB>O室温下浸泡，去离子水冲洗，甩干立即进炉；大流量N<SUB>2</SUB>保护下550℃进舟，慢推，大流量N<SUB>2</SUB>保护；升温至700－900℃，N<SUB>2</SUB>恒温；同一温度下，N<SUB>2</SUB>/O<SUB>2</SUB>＝5∶1气氛氧化，氧化时间1－120分钟；N<SUB>2</SUB>气氛，700－900℃退火，15－60分钟；N<SUB>2</SUB>保护下降温至550℃，再在大流量N<SUB>2</SUB>保护下慢拉出舟；化学汽相沉积(LPCVD)多晶硅：温度620℃，压力0.2乇，SiH<SUB>4</SUB>200sccm，Ar800sccm。 | ||
| 申请公布号 | CN1404113A | 申请公布日期 | 2003.03.19 |
| 申请号 | CN02147232.7 | 申请日期 | 2002.10.18 |
| 申请人 | 中国科学院微电子中心 | 发明人 | 徐秋霞;侯瑞兵;高文方;韩郑生 |
| 分类号 | H01L21/316;H01L21/318;H01L21/473 | 主分类号 | H01L21/316 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周长兴 |
| 主权项 | 1、一种氮化氧化膜的制备方法，主要步骤为：·局部氧化隔离或浅槽隔离；·清洗；·注前氧化；·注入14N+：能量15-30 Kev，剂量(1-5)×1014cm-2；·漂净注前氧化膜；·清洗：先用上述各步骤中的传统方法清洗，再用氢氟酯/异丙醇/水＝(0.2-0.7)％/(0.01-0.04)％/1溶液室温下浸泡1-10分钟，去离子水冲洗，甩干立即进炉；·栅氧化：大流量氮气保护下400-600℃进舟，慢推，大流量氮气保护；升温至700-900℃，氮气恒温；同一温度下，氮气/氧气＝3-7∶1气氛氧化，氧化时间1-120分钟；氮气气氛，700-900℃退火，15-60分钟；氮气保护下降温至550℃，再在大流量氮气保护下慢拉出舟；·化学汽相沉积多晶硅：1600-2200，温度620℃，压力0.2乇，SiH4200sccm，Ar800sccm。 | ||
| 地址 | 100029北京市德胜门外祁家豁子 | ||