半导体基片制造方法、半导体基片、电光学装置及电子设备

摘要

提供可形成具有SOI结构、而且支持基片与SOI层的热膨胀系数不同的半导体基片的半导体基片的制造方法、半导体基片、电光学装置及电子设备。当制造SOI结构的基片600时，在单晶硅层形成沟槽260，形成岛状单晶硅层230。然后实施热处理。其结果，由于因支持基片500与单晶硅层230的热膨胀系数差而引起的热应力在沟槽260被缓和，因而即使实施旨在提高贴合强度的热处理或氧化工序等，也可得到无位移及裂纹的高质量的单晶硅层。

主权项

1.一种半导体基片制造方法，该半导体基片配有具有第1热膨胀系数的支持基片、在上述支持基片上形成的绝缘体层、在该绝缘体层上形成的具有第2热膨胀系数的单晶半导体层，其特征在于：在上述支持基片上形成上述单晶半导体层，在上述单晶半导体层的规定区域的外围形成沟槽，随后进行热处理。