| 发明名称 | 增加低介电层涂布能力的方法 | ||
| 摘要 | 一种增加低介电层涂布能力的方法。本发明的方法包括：旋涂一蚀刻终止层在底材上，旋涂一吸附促进层在蚀刻终止层上。为了增加在蚀刻终止层与有机低介电层之间的涂布能力，在已经烘烤过的吸附促进层上进行预润湿的步骤，使得经过烘烤之后的吸附促进层的涂布品质可以增加，也可以增加在蚀刻终止层与低介电层之间的涂布能力。 | ||
| 申请公布号 | CN1404136A | 申请公布日期 | 2003.03.19 |
| 申请号 | CN02126852.5 | 申请日期 | 2002.07.19 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 谢宗棠;蔡正原;黄稚铵 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 1.一种增加吸附促进层可润湿性的方法，其特征在于，该方法至少包括：提供一吸附促进层在一半导体底材上，其中该吸附促进层为一种界面活性剂材料；烘烤该吸附促进层以除去在该吸附促进层内的溶剂；以及利用有机溶剂润湿该吸附促进层使得该吸附促进层的表面的可润湿性增加。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号 | ||