半导体存储器与半导体存储器控制方法

摘要

在要求进行刷新操作的半导体存储器中，在每次结束刷新操作时，控制方法将作为比外部电源电压高的升高电压的位线电压、作为施加到半导体衬底上的负电压的存储阵列衬底电压以及用于再现保持在存储单元内的数据的位线预充电电压停止预定的周期。在这种情况下，将字线的电压输出端和存储阵列衬底电压分别驱动到地电位。为了恢复这些电压，停止输出字线电压，直到存储阵列衬底电压升高到某种程度。

主权项

1.一种对要求以刷新操作对写入存储单元内的数据进行保持的半导体存储器进行控制的方法，所述半导体存储器包括：VPP内部电压发生器电路，用于产生驱动字线的字线电压，所述字线电压是比由外部施加的外部电源电压高的升高电压；以及VDL内部电压发生器电路，用于产生驱动位线的位线电压，所述位线电压是比由外部施加的外部电源电压低的降低电压；所述方法包括步骤：在每次结束所述刷新操作时，将所述VPP内部电压发生器电路输出的电压截止预定的周期。