发明名称 分析动态随机存取存储器冗余位修复是否正确的方法
摘要 一种分析动态随机存取存储器冗余位修复是否正确的方法,是在利用冗余位修复工艺之后,用以侦测修复是否正确的方法,主要是利用一集中光束照射在晶片上的芯片,然后观察照射后显示于屏幕的物理位元图的影像,当光束对准缺陷的阵列位置时,屏幕显示出两个类似半圆形的亮区;而当光束对准用来作修复坏掉阵列的冗余位时,屏幕上会显示出一亮条纹。由上述的亮条纹与两半圆形的位置,即可侦测出利用冗余位修复工艺后是否正确达到修复的目的。
申请公布号 CN1404140A 申请公布日期 2003.03.19
申请号 CN02140129.2 申请日期 2002.07.02
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 何明瑾
分类号 H01L21/8242;H01L21/66 主分类号 H01L21/8242
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 李晓舒;魏晓刚
主权项 1.一种分析动态随机存取存储器冗余位修复是否正确的方法,适于验证一芯片上的一缺陷阵列是否被一冗余位阵列正确修复,其步骤包括:利用一集中光束照射该缺陷阵列;观察该缺陷阵列呈两半圆形的物理位元图,用以确认该缺陷阵列的相对位置;利用该集中光束照射该芯片上的该冗余位阵列;以及依照该冗余位阵列呈条状的物理位元图的位置,确认该冗余位阵列是否正确修复该缺陷阵列,其中如果该冗余位阵列呈条状的物理位元图位于该缺陷阵列呈两半圆形的物理位元图中两半圆形之间,则验证该缺陷阵列被该冗余位阵列正确修复;以及如果该冗余位阵列呈条状的物理位元图不是位于该缺陷阵列呈两半圆形的物理位元图中两半圆形之间,则验证该缺陷阵列没有被该冗余位阵列正确修复。
地址 台湾省新竹科学工业园区