| 发明名称 |
Method of making a vertical MOS transistor having a buried gate |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1292991(A1) |
申请公布日期 |
2003.03.19 |
| 申请号 |
EP20010947563 |
申请日期 |
2001.06.21 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIESALTERNATIVES |
发明人 |
DELEONIBUS, SIMON |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/45;H01L29/49;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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