发明名称 METHOD AND SYSTEM FOR SYSTEMATIC ADJUSTMENTS IN HIGH-SPEED NONSTANDARD FET CIRCUITS
摘要 <p>La pr�sente invention concerne des techniques permettant la conception d'un syst�me de circuit �lectronique � plusieurs transistors � effet de champ r�alis�s par divers proc�d�s industriels non normalis�s. Gr�ce � ces techniques, on effectue de mani�re syst�matique le r�glage des param�tres de circuit des divers composantdes modules fonctionnels individuels afin de minimiser les effets dommageables provoqu�s par des interactions de niveaux de syst�me entre ces modules fonctionnels. Dans un mode de r�alisation, les techniques sont appliqu�es � un circuit int�gr� CMOS silicium sur isolant qui est un circuit diviseur par 16 o� les modules fonctionnels constituent quatre diviseurs par 2. La nette am�lioration obtenue de l'ondulation du signal de sortie � partir de chaque�tage de s�paration est d�crite. Dans un autre mode de r�alisation, les techniques sont appliqu�es � un autre circuit int�gr� CMOS silicium sur isolant qui est un d�tecteur de phase de type toutou rien o� les modules fonctionnels sont trois bascules bistables ma�tre-esclave de type D. La nette am�lioration de l'ondulatiodu signal de sortie obtenue est �galement d�crite.</p>
申请公布号 WO2003021783(A2) 申请公布日期 2003.03.13
申请号 US2002020873 申请日期 2002.06.26
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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