发明名称 Gerät zum Aufwachsen eines Siliziumrohlings
摘要 Ein Gerät zum Aufwachsen eines Siliziumrohlings, das einen Graphittiegel, in dem ein Quarztiegel plaziert ist, eine Antriebsachse, die mit einem unteren Teil des Graphittiegels verbunden ist, um den Graphittiegel zu drehen und nach oben und unten zu bewegen, um den Graphittiegel zu tragen, ein Heizelement zum Heizen des Graphittiegels und eine isolierende Wand, um den Graphittiegel, die Heizeinrichtung und teilweise die Antriebsachse vor der äußeren Umgebung zu schützen und thermisch zu isolieren, umfaßt. Die Antriebsachse umfaßt einen Hohlachsenteil, der ein hohles Innneres aufweist, einen Isolierachsenteil, der an dem unteren Ende des Hohlachsenteils angebracht ist, um eine Wärmeübertragung zu vermeiden, und einen Zylinderachsenteil, der an dem unteren Ende des Isolierachsenteils angebracht ist. Der Aufbau der Antriebsachse reduziert das Temperaturgefälle in dem geschmolzenen Silizium, was eine einheitliche Wärmeverteilung für eine erhöhte Siliziumrohlingsqualität verbessert.
申请公布号 DE10222595(A1) 申请公布日期 2003.03.13
申请号 DE20021022595 申请日期 2002.05.22
申请人 SILTRON INC., GUMI 发明人 LEE, HONG-WOO;CHOI, JOON-YOUNG;CHO, HYON-YOUNG
分类号 C30B15/10;C30B15/14;C30B15/30;C30B29/06;(IPC1-7):C30B15/30;C30B11/00 主分类号 C30B15/10
代理机构 代理人
主权项
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