| 发明名称 |
TRENCH FET WITH SELF ALIGNED SOURCE AND CONTACT |
| 摘要 |
A trench type power MOSgated device with a plurality of self-aligned sources (9) around contact (26). |
| 申请公布号 |
WO03021639(A2) |
申请公布日期 |
2003.03.13 |
| 申请号 |
WO2002US28067 |
申请日期 |
2002.09.03 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION |
发明人 |
AMALI, ADAM, I.;THAPAR, NARESH |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/739;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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