摘要 |
Die Schutzstruktur wird so über den Halbleiterchip (1) verteilt, dass es nicht möglich ist, in der Schaltung durch Bestrahlung eine Fehlfunktion auszulösen, ohne dass auch die Schutzstruktur von der Bestrahlung betroffen wird. Dazu werden redundante Leiter (3) vorgesehen, oder es werden Verbindungen mit strahlungsabhängiger Leitfähigkeit oder Dielektrizitätszahl vorgesehen, oder die Prüfleitungen eines Speichers werden zwischen den Bitleitungen angeordnet.
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