发明名称 一种高比表面积碳化硅及其制备方法
摘要 一种高比表面积碳化硅的直径为10-20nm,比表面积为60-160m<SUP>2</SUP>/g,孔径分布范围为3-100nm。制备方法采用将酚醛树脂和乙醇或丙酮混合,再将铝溶胶、正硅酸乙酯和酚醛树脂溶于混合溶液中,同时加入草酸,搅拌水解;再加入六次甲基四氨进行凝胶,干燥,在通入氩气条件下,加热,反应降至室温;在空气中氧化,再酸洗。本发明具有操作简单,成本低廉,易于规模生产的优点。
申请公布号 CN1401565A 申请公布日期 2003.03.12
申请号 CN02130064.X 申请日期 2002.08.19
申请人 中国科学院山西煤炭化学研究所 发明人 郭向云;靳国强;梁萍;王冬华
分类号 C01B31/36;B01J27/224 主分类号 C01B31/36
代理机构 山西五维专利事务所(有限公司) 代理人 李毅
主权项 1.一种高比表面积碳化硅,其特征在于直径为10-20nm,比表面积为60-160m2/g,孔径分布范围为3-100nm。
地址 030001山西省太原市165信箱