发明名称 | 一种高比表面积碳化硅及其制备方法 | ||
摘要 | 一种高比表面积碳化硅的直径为10-20nm,比表面积为60-160m<SUP>2</SUP>/g,孔径分布范围为3-100nm。制备方法采用将酚醛树脂和乙醇或丙酮混合,再将铝溶胶、正硅酸乙酯和酚醛树脂溶于混合溶液中,同时加入草酸,搅拌水解;再加入六次甲基四氨进行凝胶,干燥,在通入氩气条件下,加热,反应降至室温;在空气中氧化,再酸洗。本发明具有操作简单,成本低廉,易于规模生产的优点。 | ||
申请公布号 | CN1401565A | 申请公布日期 | 2003.03.12 |
申请号 | CN02130064.X | 申请日期 | 2002.08.19 |
申请人 | 中国科学院山西煤炭化学研究所 | 发明人 | 郭向云;靳国强;梁萍;王冬华 |
分类号 | C01B31/36;B01J27/224 | 主分类号 | C01B31/36 |
代理机构 | 山西五维专利事务所(有限公司) | 代理人 | 李毅 |
主权项 | 1.一种高比表面积碳化硅,其特征在于直径为10-20nm,比表面积为60-160m2/g,孔径分布范围为3-100nm。 | ||
地址 | 030001山西省太原市165信箱 |