| 发明名称 | 大容量绝缘栅双极型晶体管驱动电路 | ||
| 摘要 | 大容量绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动电路，属于绝缘栅双极型晶体管驱动电路领域，其特征在于：功率放大级(20)由低压MOS管(T4，T5)组成，所述驱动电路还包括：整形电路(1)、电阻(R3)、整形电路(2)和电平转换电路(30)；所述光电隔离级(10)的输出端依次与所述整形电路(1)、所述电阻(R3)和所述MOS管(T4)的栅极相连，所述光电隔离级(10)的另一输出端依次与所述整形电路(2)、所述电平转换电路(30)和所述MOS管(T5)的栅极相连。该驱动电路能够驱动大容量的IGBT，并可调节IGBT的导通与时间，实现IGBT的最佳导通与关断。 | ||
| 申请公布号 | CN1402431A | 申请公布日期 | 2003.03.12 |
| 申请号 | CN02129368.6 | 申请日期 | 2002.09.06 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 瞿文龙 |
| 分类号 | H03K17/795 | 主分类号 | H03K17/795 |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1.一种大容量绝缘栅双极型晶体管驱动电路，包括：光电隔离级(10)，功率放大级(20)，电源(V2，-V3)，其特征在于：所述功率放大级(2C)由低压MOS管(T4，T5)组成，所述驱动电路还包括：整形电路(1)、电阻(R3)、整形电路(2)和电平转换电路(30)；所述光电隔离级(10)的输出端依次与所述整形电路(1)、所述电阻(R3)和所述MOS管(T4)的栅极相连，所述光电隔离级(10)的另一输出端依次与所述整形电路(2)、所述电平转换电路(30)和所述MOS管(T5)的栅极相连。 | ||
| 地址 | 100084北京市100084－82信箱 | ||