加强光放出的微发光二极管数组

摘要

本发明揭示了一种新的发光二极管结构，其提供增加的光放出效率。该新发光二极管结构包含电连接微发光二极管(12)的数组，其具有一活动层(14)夹在两个相对掺杂的层(16，18)之间。该微发光二极管形成在一第一展开层(18)之上，而该微发光二极管其底层(16)则与该第一展开层(18)相接触。一第二展开层(24)形成于该微发光二极管(12)之上，并与其上层(16)相接触。该第一展开层(18)将该第二展开层(24)电绝缘。每个展开层(20，24)皆具有一接触点(22，26)，当一偏压施加到所述接触点(22，26)时，电流流到微发光二极管(12)，并发光。新发光二极管的效率由增加的微发光二极管(12)的发射表面而增加。来自每个微发光二极管活动层(14)的光将会在行进一短距离之后而到达一表面，并降低该光的整体内部反射。位于微发光二极管(12)之间的光提取组件(LEEs)(82，84，86，88，90，92，94)可被包含来另外加强光放出。新发光二极管系由标准处理技术来制造，使其易于制造，且成本类似于标准的发光二极管。

主权项

1.一种具有加强光放出的发光二极管(LED)，包含：一导电性第一展开层(20)；多个微发光二极管(micro-LEDs)(12)分别地沉积在所述第一展开层(20)的一表面上，每个所述微发光二极管皆包含：一p-型层(16)；一n-型层(18)；一活动层(14)，其夹在所述p-型与n-型层(16，18)之间，其中所述p-型或n-型层为一上层，而另外一层则为下层，来自所述第一展开层(20)的电流流入到所述底层；一第二展开层(24)，其在所述微发光二极管(12)之上，来自所述第二展开层(24)的电流流入到所述上层，一偏压施加在所述第一及第二展开层(20，24)之间而使所述微发光二极管(12)发光。