| 发明名称 | 半导体电路装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体电路装置，它在第一导电类型的半导体衬底(1)内集成地构造了一个电路元件，该电路元件具有至少一个控制端(G1，G2)和一个第一(D)及第二电极端(S)，其中，所述的第一电极端(D)由一个嵌入在所述半导体衬底内的、且与所述第一导电类型相反的第二导电类型的连接槽和一个位于所述连接槽内且为第二导电类型的、但比所述连接槽的掺杂更高的下部槽区构成。本发明的其特征在于：所述构造在半导体衬底的主表面内的、被分配给所述第一电极端(D)的第二导电型的下部槽区在所述至少一个控制端的第一导电型的槽区之前终止。 | ||
| 申请公布号 | CN1402882A | 申请公布日期 | 2003.03.12 |
| 申请号 | CN00816423.1 | 申请日期 | 2000.11.30 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | C·赫朱姆;K·－H·米勒;U·克鲁贝恩 |
| 分类号 | H01L29/78 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;张志醒 |
| 主权项 | 1.用于制造半导体电路装置的方法，所述的半导体电路装置在第一导电类型的半导体衬底(1)内集成地构造了一个电路元件，该电路元件具有至少一个控制端(G1，G2)和一个第一(D)及第二电极端(S)，其中，所述的第一电极端(D)由一个嵌入在所述半导体衬底内的、且与所述第一导电类型相反的第二导电类型的连接槽和一个位于所述连接槽内且为第二导电类型的、但比所述连接槽的掺杂更高的下部槽区构成，其特征在于：所述构造在半导体衬底的主表面内的、被分配给所述第一电极端(D)的第二导电型的下部槽区在所述至少一个控制端的第一导电型的槽区之前终止。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||