具有浮置栅的半导体器件及其制造方法

摘要

具有浮置栅的半导体存储器的制造方法具备：在半导体衬底上边形成元件隔离区和栅绝缘膜；在上述元件隔离区和上述棚绝缘膜上边形成第1栅极材料；在上述元件隔离区上边隔离第1栅极材料，留下上述第1栅极材料从而形成第1栅电极；在上述元件隔离区上边，形成宽度比隔离后的上述第1栅电极间的宽度要窄的凹部；在上述元件隔离区上边凹部端部的上述第1栅电极下的上述元件隔离区形成坑洼；在上述元件隔离区的凹部和上述第1栅电极上边形成栅间绝缘膜埋入上述元件隔离区的坑洼；以及在该栅间绝缘膜上边形成第2栅电极。

主权项

1、一种具有至少一个浮置栅的半导体存储器，其特征是具备：半导体衬底；埋入该半导体衬底内的至少一个元件隔离区，其表面比半导体衬底表面突出，其上面形成有凹部，该凹部的上端形成有坑洼；上述半导体衬底上边形成的栅绝缘膜，该栅绝缘膜上边、上述元件隔离区上面和坑洼上边形成的第1栅极，该第1栅极上边而且在上述元件隔离区的凹部和坑洼内形成的栅间绝缘膜；以及在该栅间绝缘膜上边形成并埋入上述元件隔离区的凹部的第2栅极。