在镶嵌制程中形成金属电容器的方法

摘要

一种在镶嵌制程中形成金属电容器的方法。于形成金属薄膜电容器之前，利用铜金属镶嵌制程来制作其下的内连线。电容器的下电极是在镶嵌制程中形成，而此镶嵌制程亦同时用来形成导线和插塞。且于用以隔离双镶嵌结构的绝缘层的上方形成抗反射层，此抗反射层亦可做为硬罩幕层、研磨终止层和蚀刻终止层接窄于抗反射层上，依序形成另一绝缘层和金属层，并进行微影蚀刻，以形成上电极和电容器绝缘层。在完成电容器后，继续利用铜金属镶嵌制程来制作其上的内连线。具有减少制造内含电容器的积体电路的微影蚀刻步骤及减少制造成本，降低内含电容器的积体电路，容易控制的内含电容器的积体电路的制程及使用铜制程来制造内含电容器的积体电路，以降低RC延迟的功效。

主权项

1、一种在镶嵌制程中形成金属电容器的方法，其特征是：它至少包括如下步骤：(1)提供一第一绝缘层；(2)于该第一绝缘层中形成一第一铜导线和一第二铜导线；(3)至少于该第一和第二铜导线上形成一第一密封层；(4)于该第一密封层上形成一第二绝缘层；(5)于该第二绝缘层上形成一抗反射层；(6)于该抗反射层、第二绝缘层和第一密封层中形成包括第一铜插塞、一第二铜插塞、一第三铜导线和第四铜导线的双镶嵌结构，其中该第一铜插塞用以连接该第三铜导线和第一铜导线，该第二铜插塞用以连接该第四铜导线和第二铜导线；(7)于该抗反射层、第三铜导线和第四铜导线上形成一第三绝缘层；(8)于该第三绝缘层上形成一金属层；(9)于该抗反射层做为一蚀刻终止层，将该金属层和第三绝缘层图案化，以于对应于该第三铜导线处形成一上电极和一电容器绝缘层；(10)于该抗反射层和该上电极上形成一第四绝缘层；(11)于该第四绝缘层中形成包括第三铜插塞、第四铜插塞、第五铜导线和第六铜导线的双镶嵌结构，其中该第三铜插塞用以连接该第五铜导线和上电极，该第四铜插塞用以连接该第六铜导线和第四铜导线；(12)至少于该第五和第六铜导线上形成一第二密封层。