Method and apparatus for producing hyper-pure semiconductor material, particularly silicon,申请号US19600023524-传众专利搜索

发明名称	Method and apparatus for producing hyper-pure semiconductor material, particularly silicon
摘要
申请公布号	US2999735(A)	申请公布日期	1961.09.12
申请号	US19600023524	申请日期	1960.04.20
申请人	SIEMENS-SCHUCKERTWERKE AKTIENGESELLSCHAFT	发明人	REUSCHEL KONRAD
分类号	C01B33/035;C23C16/06	主分类号	C01B33/035
代理机构		代理人
主权项
地址