| 发明名称 | 半导体设备及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种提供快速半导体运行的多层互连结构通过采用铜布线而实现，其中铜的电迁移由所提供的通孔塞所阻止，该通孔塞包括一层高熔点金属例如钨。 | ||
| 申请公布号 | CN1402333A | 申请公布日期 | 2003.03.12 |
| 申请号 | CN02118015.6 | 申请日期 | 2002.04.19 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 北田秀树;清水纪嘉;大冢信幸;大场隆之 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/3205 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李强 |
| 主权项 | 1.一种半导体设备，包括：形成于一绝缘层的一个上表面之上的一个第一布线，形成于一绝缘层的一个下表面之下的一个第二布线，及一个用于连接第一布线和第二布线的通孔塞，该通孔塞具有至少一层其熔点高于用于形成第一布线和第二布线的金属的熔点的高熔点金属。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||