| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种小型、高密度、低成本、可靠性高的叠层水平的半导体装置及其制造方法。该半导体装置在第一半导体芯片(11)的表面上配置有第二半导体芯片(12)，它具有：在第一半导体芯片的表面上配置有电极取出用的金属端子(14)；形成在第二半导体芯片的表面上的电极取出用的金属端子(15)；密封了第一半导体芯片(11)的表面上、金属端子(14)、第二半导体芯片(12)和金属端子(15)的树脂。 | ||
| 申请公布号 | CN1402348A | 申请公布日期 | 2003.03.12 |
| 申请号 | CN02127397.9 | 申请日期 | 2002.08.05 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 两角幸男 |
| 分类号 | H01L25/065;H01L23/48;H01L21/60 | 主分类号 | H01L25/065 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，在第一半导体芯片的表面上配置有第二半导体芯片，其特征在于：具有：形成在第一半导体芯片的表面上的电极取出用的第一金属端子；形成在第二半导体芯片的表面上的电极取出用的第二金属端子；密封了第一半导体芯片的表面上、第一金属端子、第二半导体芯片和第二金属端子的树脂。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||